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　　電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)昆山宏展技術(shù)部
　　
　　國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
　　
　　一、gb/t2423有以下51個標(biāo)準(zhǔn)組成：1gb/t2423.1-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)a:低溫
　　
　　2gb/t2423.2-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)b:高溫
　　
　　3gb/t2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法
　　
　　4gb/t2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)db:交變濕熱試驗(yàn)方法
　　
　　5gb/t2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ea和導(dǎo)則:沖擊
　　
　　6gb/t2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)eb和導(dǎo)則：碰撞
　　
　　7gb/t2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒（主要用于設(shè)備型樣品）
　　
　　8gb/t2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ed:自由跌落
　　
　　9gb/t2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)cb:設(shè)備用恒定濕熱
　　
　　10gb/t2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fc和導(dǎo)則:振動（正弦）
　　
　　11gb/t2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fd:寬頻帶隨機(jī)振動--一般要求
　　
　　12gb/t2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fda:寬頻帶隨機(jī)振動--高再現(xiàn)性
　　
　　13gb/t2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdb:寬頻帶隨機(jī)振動中再現(xiàn)性
　　
　　14gb/t2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdc:寬頻帶隨機(jī)振動低再現(xiàn)性
　　
　　15gb/t2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度
　　
　　16gb/t2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)j和導(dǎo)則:長霉
　　
　　17gb/t2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ka:鹽霧試驗(yàn)方法
　　
　　18gb/t2423.18-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)--試驗(yàn)kb:鹽霧,交變（氯化鈉溶液）
　　
　　19gb/t2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法
　　
　　20gb/t2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法
　　
　　21gb/t2423.21-1991電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)m:低氣壓試驗(yàn)方法
　　
　　22gb/t2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)n:溫度變化
　　
　　23gb/t2423.23-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)q:密封
　　
　　24gb/t2423.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)sa:模擬地面上的太陽輻射
　　
　　25gb/t2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/am:低溫／低氣壓綜合試驗(yàn)
　　
　　26gb/t2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/bm:高溫／低氣壓綜合試驗(yàn)
　　
　　27gb/t2423.27-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/amd:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法
　　
　　28gb/t2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)t:錫焊試驗(yàn)方法
　　
　　29gb/t2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)u:引出端及整體安裝件強(qiáng)度
　　
　　30gb/t2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)xa和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬
　　
　　31gb/t2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法
　　
　　32gb/t2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法
　　
　　33gb/t2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法
　　
　　34gb/t2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/ad:溫度/濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法
　　
　　35gb/t2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/afc:散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/振動（正弦）綜合試驗(yàn)方法
　　
　　36gb/t2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/bfc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動（正弦）綜合試驗(yàn)方法
　　
　　37gb/t2423.37-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)l:砂塵試驗(yàn)方法
　　
　　38gb/t2423.38-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)r:水試驗(yàn)方法
　　
　　39gb/t2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ee:彈跳試驗(yàn)方法
　　
　　40gb/t2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
　　
　　41gb/t2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程風(fēng)壓試驗(yàn)方法
　　
　　42gb/t2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)低溫/低氣壓/振動（正弦）綜合試驗(yàn)方法
　　
　　43gb/t2423.43-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊（ea）、碰撞（eb）、振動（fc和fb）和穩(wěn)態(tài)加速度（ca）等動力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則
　　
　　44gb/t2423.44-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)eg:撞擊彈簧錘
　　
　　45gb/t2423.45-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)z/abdm：氣候順序
　　
　　46gb/t2423.46-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ef：撞擊擺錘
　　
　　47gb/t2423.47-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fg:聲振
　　
　　48gb/t2423.48-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ff:振動--時(shí)間歷程法
　　
　　49gb/t2423.49-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fe:振動--正弦拍頻法
　　
　　50gb/t2423.50-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)
　　
　　51gb/t2423.51-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ke:流動混合氣體腐蝕試驗(yàn)
　　
　　二、gb2421-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則
　　
　　三、gb/t2422-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)術(shù)語
　　
　　四、gb24241.gb2424.1-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程高溫低溫試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　2.gb/t2424.2-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程濕熱試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　3.gb/t2424.9-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程長霉試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　4.gb/t2424.10-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程大氣腐蝕加速試驗(yàn)的通用導(dǎo)則
　　
　　5.gb/t2424.11-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程接觸點(diǎn)和鏈接件的二氧化硫試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　6.gb/t2424.12-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　7.gb/t2424.13-81電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　8.gb/t2424.14-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程第2部分：試驗(yàn)方法太陽輻射試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　9.gb/t2424.15-92電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度/低氣壓綜合試驗(yàn)導(dǎo)則10.gb/t2424.17-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程錫焊試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　11.gb/t2424.18-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程在清洗濟(jì)中浸漬試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　12.gb/t2424.19-84電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程模擬儲存影響的環(huán)境試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　13.gb/t2424.20-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　14.gb/t2424.21-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　15.gb/t2424.22-86電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度（低溫、高溫）和振動（正玄）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　16.gb/t2424.23-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程水試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
　　17.gb/t2424.24-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度（低溫、高溫）/低氣壓/振動（正玄）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
　　
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