詳細介紹
采用面朝下系統(tǒng)的高性能單晶圓大氣壓CVD系統(tǒng)
A200V型
膜厚均勻度在±2%以內(nèi)
粒子生成抑制
緊湊的設(shè)備配置
良好的步進覆蓋率
適用于低溫工藝
提高可維護性
提高**性
特征
在這種方法中,晶圓在封閉的腔室中加熱,同時保持晶圓,上部卡盤朝向下部,工藝氣體從底部的分散頭吹起以形成薄膜。 卡盤提高了晶圓內(nèi)溫度均勻性,并提供了出色的膜厚均勻性,同時防止氣體纏繞在晶圓底部,防止背面沉積,并防止顆粒粘附在晶圓上并進入腔室。
設(shè)備尺寸已盡可能緊湊,以*大限度地減少占地面積。
使用密閉腔室可避免氣體泄漏的發(fā)生,提高工人的**性。
性能
涂層厚度均勻性 | ≦±2% |
---|---|
支持的晶圓尺寸 | ≦8寸 |
氣體種類 | SiH4、O2、PH3、B2H6、N2(TEOS、TEB、TMOP、O3可選) |
沉積溫度 | 300°C~450°C |
生產(chǎn)力 | 20 張/小時(500 nm 沉積時) |
主要技術(shù)指標
設(shè)備尺寸 | 890mm(寬) x 2300mm(深) x 2250mm(高) |
---|---|
加熱機制 | 電阻加熱 |
裝卸 | 雙滑塊,機器人CtoC運輸 |
分散頭(氣體噴嘴) | 圈 |