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日本AMAYA天谷制作所 半導體單晶圓大氣壓CVD系統(tǒng)A200V型

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更新時間:2025-03-12 07:56:46瀏覽次數(shù):30

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產(chǎn)品簡介

采用面朝下系統(tǒng)的高性能單晶圓大氣壓CVD系統(tǒng)A200V型膜厚均勻度在±2%以內(nèi)粒子生成抑制緊湊的設(shè)備配置良好的步進覆蓋率適用于低溫工藝提高可維護性提高**性特征在這種方法中,晶圓在封閉的腔室中加熱,同時保持晶圓,上部卡盤朝向下部,工藝氣體從底部的分散頭吹起以形成薄膜。 卡盤提高了晶圓內(nèi)溫度均勻性,并提供了出色的膜厚均勻性,同時防止氣體纏繞在晶圓底部,防止背面沉積,并防止顆粒粘附在晶圓上并進入腔室。

詳細介紹

產(chǎn)品信息

采用面朝下系統(tǒng)的高性能單晶圓大氣壓CVD系統(tǒng)

A200V型

  • 膜厚均勻度在±2%以內(nèi)

  • 粒子生成抑制

  • 緊湊的設(shè)備配置

  • 良好的步進覆蓋率

  • 適用于低溫工藝

  • 提高可維護性

  • 提高**性

圖片關(guān)鍵詞

特征

  • 在這種方法中,晶圓在封閉的腔室中加熱,同時保持晶圓,上部卡盤朝向下部,工藝氣體從底部的分散頭吹起以形成薄膜。 卡盤提高了晶圓內(nèi)溫度均勻性,并提供了出色的膜厚均勻性,同時防止氣體纏繞在晶圓底部,防止背面沉積,并防止顆粒粘附在晶圓上并進入腔室。

  • 設(shè)備尺寸已盡可能緊湊,以*大限度地減少占地面積。

  • 使用密閉腔室可避免氣體泄漏的發(fā)生,提高工人的**性。

性能

涂層厚度均勻性≦±2%
支持的晶圓尺寸≦8寸
氣體種類SiH4、O2、PH3、B2H6N2(TEOS、TEB、TMOP、O3可選)
沉積溫度300°C~450°C
生產(chǎn)力20 張/小時(500 nm 沉積時)

主要技術(shù)指標

設(shè)備尺寸890mm(寬) x 2300mm(深) x 2250mm(高)
加熱機制電阻加熱
裝卸雙滑塊,機器人CtoC運輸
分散頭(氣體噴嘴)



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