LPCVD低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備

式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大，故可采用密集裝片方式來(lái)提高生產(chǎn)率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2 、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電子電力、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。

產(chǎn)品特點(diǎn)

◆  對(duì)工藝時(shí)間、溫度、氣體流量、閥門(mén)動(dòng)作、反應(yīng)室壓力實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制

◆  采用進(jìn)口壓力控制系統(tǒng)，閉環(huán)控制，穩(wěn)定性強(qiáng)

◆  采用進(jìn)口耐腐蝕不銹鋼管件、閥門(mén)，確保氣路氣密性

◆  具有完善的報(bào)警功能及安全互鎖裝置

◆  具有良好的人機(jī)界面，靈活的工藝性能

技術(shù)參數(shù)

◆  適用硅片尺寸：4～6＂

◆  工作溫度范圍：350～1000℃

◆  恒溫區(qū)長(zhǎng)度及精度：760mm±1℃

◆  溫度梯度：0～30℃可調(diào)

◆  系統(tǒng)極限真空度：0.8 Pa

◆  工作壓力范圍：30Pa～133Pa可調(diào)

◆  淀積膜種類：Si3N4  Poiy-Si  SiO2

淀積膜均勻性

★  Si3N4   片內(nèi)＜±6％ 片間＜±8％ 批間＜±8％

★  Poiy-Si 片內(nèi)＜±5％ 片間＜±6％ 批間＜±5％

★  SiO2    片內(nèi)＜±6％ 片間＜±7％ 批間＜±8％

LPCVD低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備