FTA1100-K1液位開關(guān)現(xiàn)貨

FTA1100-K1液位開關(guān)現(xiàn)貨

 濟(jì)南友田機(jī)械設(shè)備有限公司，主營(yíng)各種進(jìn)口工業(yè)機(jī)械設(shè)備及其配件，儀器儀表，實(shí)驗(yàn)室器材，化學(xué)試劑。公司專注于進(jìn)口歐美工業(yè)產(chǎn)品，各種工業(yè)配件，儀器小到工業(yè)用的螺絲，大到幾百公斤重的電機(jī)。公司現(xiàn)在美國(guó)，德國(guó)，意大利分別設(shè)有辦事處和庫(kù)房，采用就近采購(gòu)原則，節(jié)省了采購(gòu)成本，從而讓利于客戶，保證了產(chǎn)品的質(zhì)量和貨期。

KOLLMORGEN AKD-P00606-NBCC-I000

VAHLE DCS1-150

VAHLE DSW2/40   168151 Vahle 0168151  DSW 2/40

VAHLE KDS2/40  168073 Vahle 0168073 KDS 2/40 PH

JAQUET DSD1810.03ATV 速度探頭Jaquet DSD 1810.03 ATV J374Z-03960

Krom VAN 240R/NK Size 2 DN40 Rp internal thread 500mbar 24VDC Quick Opening

GESSMANN N6-DG-01RP-X-A05P444

W.GESSMANN P520 400 0143 S1409294/010-0013S22

REVO RD7006005000000 閥

Hilger u.Kern 22006724 壓力表Hilger u. Kern GmbH 22006724 G30-7.000.494+1; G30-63-14H-400B 01734

JAHNS MTO-2-31-AVB080, 液壓馬達(dá)Jahns -MTO-2-31-AVB080

KELLER PAA-23/4MP a/8465.1，accuracy ±0.5% 壓力變送器

EMG BMI2.11.1 對(duì)中控制板

j.Thielmann TH-900325  DM900 氣動(dòng)馬達(dá)

BRASS 8413  NBR-EPDM KTW-FPM 閥

B-COMMAND FRM0100R4-0070 限位開關(guān)

KNOTT 33012 250314 There are 20 brake pads, two hub, two brake basins, two screw sets, two oil seals and two bearings.

CEMBRE B1350-UC 充電式液壓鉗

CEMBRE B-TC250 充電式液壓切刀

Flowserve vdxcl12m1-19-00200 行程開關(guān)

Farval 49707-5

Farval SC400

Farval 41864-2

Farval 45566-4

Farval 43996-3

Farval DR460A

PARKER 9F400S 單向節(jié)流閥

STROMAGAG TYP48 BM-499/240VAC/1A 60VDC/0.5A Stromag 151-00127   51_48_BM0Z_499

CEMP Nr:71274204

SPAGGIARI SRT10C/2/63/20 Spaggiari SRT10C/2/63/20

KEB 7604400-4000

KEB E5SME00-24S0

Electronicon  E62.R17-753C60 Electronicon -E62.P10-753L10 75,0F 1260Vdc/750Vac 95x105 K

ELCIS I/E6-300-1828-BZ-B-CD MG 編碼器 Elcis I/E6-300-1828-BZ-B-CD

Elcis I/E6-300-1828-BZ-B-CD

Bauer BS02-71V/DU05LA4-TOF/SP

SAUER-DANFOSS OMV315 151F0548 Danfoss 151F0548 Hydr. Motor OMS 315 S.3 w. VK-Shaft, m

Danfoss 151F0548 Motor DANFOSS; OMS 315

L+B CEL.293CXN002500L033 Lenord+Bauer GEL293CXN 002500L033

CONATEX W5047112121ZX/ X=TM5CAM303011    "Conatex W011606 Form: 4; -50...400°C; TM5CBM303021;

W5047112L121mmZX"

FIFE    SE-15  P/N 573888-001

Flowserve  520MD+W2D300-000-1100

STI DT-S11F1S0 定位器 

VOITH TURBO  EM 61D 1O/1S/61121904 Voith Turbo MTS EM 61D  TCR.11960720

KONGSBERG GT300C2G16V

Rotoflux S32-300-01R ROTOFLUX S32-1300-01R

Rotoflux S32-300-02L ROTOFLUX S32-1300-02L

Rotoflux S32-1300-01R (old: S32-300-01R)

Rotoflux S32-1300-02L  (old: S32-300-02L)

WALVOIL PM1501670  1555122107

Walvoil 230-1035-1000 1554322100; VODL/N1116/38/G5.p4/ac

atlas TH-900325 DM900 氣動(dòng)馬達(dá)

VERDERAIR diaphragm pump VA15  VA15,PP,PP,TF,TF   art no 810,6772  series 27F11E mass(kg) 3.6 max air(bar) 7

Kollmorgen AKD-P00606-NBCC-100   

TR Electronic TYP:QEH81M Art.nr:QEH81M-10002 SN:0047 TR Electronic QEH81M-10002 

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。

基本簡(jiǎn)介

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SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 [1]  ，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。 [2] 

主要規(guī)格

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一種是置于cpu與主存間的高速緩存，它有兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴(kuò)充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM，存儲(chǔ)我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設(shè)計(jì)有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級(jí)高速緩存）和L2Cache（二級(jí)高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是建在CPU的內(nèi)部，L2 Cache是設(shè)計(jì)在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時(shí)設(shè)計(jì)在CPU的內(nèi)部，故Pentium Pro的體積較大。Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺點(diǎn)，就是價(jià)格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。 [2] 

主要用途

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SRAM主要用于二級(jí)高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來

圖1.SRAM

存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。

SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，異步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。

基本的SRAM的架構(gòu)如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分：存儲(chǔ)單元陣列（core cells array），行/列地址譯碼器(decode），靈敏放大器(Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅(qū)動(dòng)電路（FFIO）。SRAM是靜態(tài)存儲(chǔ)方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲(chǔ)單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲(chǔ)單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。 [2] 

工作原理

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圖2.六管單元電路圖

SRAM的工作原理：

假設(shè)準(zhǔn)備往圖2的6T存儲(chǔ)單元寫入“1”，先將某一組地址值輸入到行、列譯碼器中，選中特定的單元，然后使寫使能信號(hào)WE有效，將要寫入的數(shù)據(jù)“1”通過寫入電路變成“1”和“0”后分別加到選中單元的兩條位線BL,BLB上，此時(shí)選中單元的WL=1，晶體管N0,N5打開，把BL,BLB上的信號(hào)分別送到Q,QB點(diǎn)，從而使Q=1，QB=0，這樣數(shù)據(jù)“1”就被鎖存在晶體管P2,P3,N3,N4構(gòu)成的鎖存器中。寫入數(shù)據(jù)“0”的過程類似。

SRAM的讀過程以讀“1”為例，通過譯碼器選中某列位線對(duì)BL,BLB進(jìn)行預(yù)充電到電源電壓VDD，預(yù)充電結(jié)束后，再通過行譯碼器選中某行，則某一存儲(chǔ)單元被選中，由于其中存放的是“1”，則WL=1、Q=1、QB=0。晶體管N4、N5導(dǎo)通，有電流經(jīng)N4、N5到地，從而使BLB電位下降，BL、BLB間電位產(chǎn)生電壓差，當(dāng)電壓差達(dá)到一定值后打開靈敏度放大器，對(duì)電壓進(jìn)行放大，再送到輸出電路，讀出數(shù)據(jù)。 [2] 

SRAM的類型

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非揮發(fā)性SRAM

非揮發(fā)性SRAM（Non-volatile SRAM，nvSRAM）具有SRAM的標(biāo)準(zhǔn)功能，但在失去電源供電時(shí)可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場(chǎng)合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。

異步SRAM

異步SRAM（Asynchronous SRAM）的容量從4 Kb到64 Mb。SRAM的快速訪問使得異步SRAM適用于小型的cache很小的嵌入式處理器的主內(nèi)存，這種處理器廣泛用于工業(yè)電子設(shè)備、測(cè)量設(shè)備、硬盤、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等等。

根據(jù)晶體管類型分類

• 雙極性結(jié)型晶體管（用于TTL與ECL）—非?？焖俚枪木薮?/p>

• MOSFET（用于CMOS）—本文詳細(xì)介紹的類型，低功耗，現(xiàn)在應(yīng)用廣泛。

根據(jù)功能分類

• 異步—獨(dú)立的時(shí)鐘頻率，讀寫受控于地址線與控制使能信號(hào)。

• 同步—所有工作是時(shí)鐘脈沖邊沿開始，地址線、數(shù)據(jù)線、控制線均與時(shí)鐘脈沖配合。

根據(jù)特性分類

• 零總線翻轉(zhuǎn)（Zero bus turnaround，ZBT）—SRAM總線從寫到讀以及從讀到寫所需要的時(shí)鐘周期是0

• 同步突發(fā)SRAM（synchronous-burst SRAM，syncBurst SRAM）—

• DDR SRAM—同步、單口讀/寫，雙數(shù)據(jù)率I/O

• QDR SRAM（Quad Data Rate (QDR) SRAM）—同步，分開的讀/寫口，同時(shí)讀寫4個(gè)字（word）。

根據(jù)觸發(fā)類型

• 二進(jìn)制SRAM

• 三進(jìn)制計(jì)算機(jī)SRAM [2] 

結(jié)構(gòu)原理

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SRAM (Static RAM），即靜態(tài)RAM.它也由晶體管組成。接通代表1，斷開表示0，并且狀態(tài)會(huì)保持到接收了一個(gè)改變信號(hào)為止。這些晶體管不需要刷新，但停機(jī)或斷電時(shí)，它們同DRAM一樣，會(huì)丟掉信息。SRAM的速度非常快，通常能以20ns或更快的速度工作。一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元僅需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容.而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件。所以，除了價(jià)格較貴外，SRAM芯片在外形上也較大，與DRAM相比要占用更多的空間。由于外形和電氣上的差別，SRAM和DRAM是不能互換的。

SRAM的高速和靜態(tài)特性使它們通常被用來作為Cache存儲(chǔ)器。計(jì)算機(jī)的主板上都有Cache插座。

圖3.SRAM

如圖所示的是一個(gè)SRAM的結(jié)構(gòu)框圖。由上圖看出SRAM一般由五大部分組成，即存儲(chǔ)單元陣列、地址譯碼器（包括行譯碼器和列譯碼器）、靈敏放大器、控制電路和緩沖/驅(qū)動(dòng)電路。在圖中，A0-Am-1為地址輸入端，CSB. WEB和OEB為控制端，控制讀寫操作，為低電平有效，1100-11ON-1為數(shù)據(jù)輸入輸出端。存儲(chǔ)陣列中的每個(gè)存儲(chǔ)單元都與其它單元在行和列上共享電學(xué)連接，其中水平方向的連線稱為“字線”，而垂直方向的數(shù)據(jù)流入和流出存儲(chǔ)單元的連線稱為“位線”。通過輸入的地址可選擇特定的字線和位線，字線和位線的交叉處就是被選中的存儲(chǔ)單元，每一個(gè)存儲(chǔ)單元都是按這種方法被選中，然后再對(duì)其進(jìn)行讀寫操作。有的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)成多位數(shù)據(jù)如4位或8位等同時(shí)輸入和輸出，這樣的話，就會(huì)同時(shí)有4個(gè)或8個(gè)存儲(chǔ)單元按上述方法被選中進(jìn)行讀寫操作。

在SRAM 中，排成矩陣形式的存儲(chǔ)單元陣列的周圍是譯碼器和與外部信號(hào)的接口電路。存儲(chǔ)單元陣列通常采用正方形或矩陣的形式，以減少整個(gè)芯片面積并有利于數(shù)據(jù)的存取。以一個(gè)存儲(chǔ)容量為4K位的SRAM為例，共需12條地址線來保證每一個(gè)存儲(chǔ)單元都能被選中（

=4096）。如果存儲(chǔ)單元陣列被排列成只包含一列的長(zhǎng)條形，則需要一個(gè)12/4K位的譯碼器，但如果排列成包含64行和64列的正方形，這時(shí)則只需一個(gè)6/64位的行譯碼器和一個(gè)6/64位的列譯碼器，行、列譯碼器可分別排列在存儲(chǔ)單元陣列的兩邊，64行和64列共有4096個(gè)交叉點(diǎn)，每一個(gè)點(diǎn)就對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)位。因此，將存儲(chǔ)單元排列成正方形比排列成一列的長(zhǎng)條形要大大地減少整個(gè)芯片地面積。存儲(chǔ)單元排列成長(zhǎng)條形除了形狀奇異和面積大以外，還有一個(gè)缺點(diǎn)，那就是單排在列的上部的存儲(chǔ)單元與數(shù)據(jù)輸入/輸出端的連線就會(huì)變得很長(zhǎng)，特別是對(duì)于容量比較大得存儲(chǔ)器來，情況就更為嚴(yán)重，而連線的延遲至少是與它的長(zhǎng)度成線性關(guān)系，連線越長(zhǎng)，線上的延遲就越大，所以就會(huì)導(dǎo)致讀寫速度的降低和不同存儲(chǔ)元連線延遲的不*性，這些都是在設(shè)計(jì)中需要避免的。 [3] 

應(yīng)用與使用

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特性

SRAM是比DRAM更為昂貴，但更為快速、低功耗（僅空閑狀態(tài)）。因此SRAM用于帶寬要求高。SRAM比起DRAM更為容易控制，也更是隨機(jī)訪問。由于復(fù)雜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，SRAM比DRAM的占用面積更大，因而不適合用于更高儲(chǔ)存密度低成本的應(yīng)用，如PC內(nèi)存。

時(shí)鐘頻率與功耗

SRAM功耗取決于它的訪問頻率。如果用高頻率訪問SRAM，其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全帶寬時(shí)功耗達(dá)到幾個(gè)瓦特量級(jí)。另一方面，SRAM如果用于溫和的時(shí)鐘頻率的微處理器，其功耗將非常小，在空閑狀態(tài)時(shí)功耗可以忽略不計(jì)—幾個(gè)微瓦特級(jí)別。

SRAM用于：

• 通用的產(chǎn)品

  • asynchronous界面，例如28針32Kx8的chip（通常命名為XXC256），以及類似的產(chǎn)品多16 Mbit每片

  • synchronous界面，通常用做高速緩存（cache）以及其它要求突發(fā)傳輸?shù)膽?yīng)用，多18 Mbit（256Kx72）每片

• 集成于芯片內(nèi)

  • 作為微控制器的RAM或者cache（通常從32 bytes到128kilobytes）

  • 作為強(qiáng)大的微處理器的主caches，如x86系列與許多其它CPU（從8kiB到幾百萬字節(jié)的量級(jí)）

  • 作為寄存器（參見寄存器堆）

  • 用于特定的ICs或ASIC（通常在幾千字節(jié)量級(jí)）

  • 用于FPGA與CPLD

嵌入式應(yīng)用

工業(yè)與科學(xué)用的很多子系統(tǒng)，汽車電子等等都用到了SRAM?，F(xiàn)代設(shè)備中很多都嵌入了幾千字節(jié)的SRAM。實(shí)際上幾乎所有實(shí)現(xiàn)了電子用戶界面的現(xiàn)代設(shè)備都可能用上了SRAM，如玩具。數(shù)碼相機(jī)、、音響合成器等往往用了幾兆字節(jié)的SRAM。 實(shí)時(shí)信號(hào)處理電路往往使用雙口（dual-ported）的SRAM。

用于計(jì)算機(jī)

SRAM用于PC、工作站、路由器以及外設(shè)：內(nèi)部的CPU高速緩存，外部的突發(fā)模式使用的SRAM緩存，硬盤緩沖區(qū)，路由器緩沖區(qū)，等等。LCD顯示器或者打印機(jī)也通常用SRAM來緩存數(shù)據(jù)。SRAM做的小型緩沖區(qū)也常見于CDROM與CDRW的驅(qū)動(dòng)器中，通常為256 KiB或者更多，用來緩沖音軌數(shù)據(jù)。線纜調(diào)制解調(diào)器及類似的連接于計(jì)算機(jī)的設(shè)備也使用了SRAM。

愛好者

搭建自己的處理器的業(yè)余愛好者更愿意選用SRAM，這是由于其易用性的工作界面。沒有DRAM所需的刷新周期；地址總線與數(shù)據(jù)總線直接訪問而不是像DRAM那樣多工分別訪問。SRAM通常只需3個(gè)控制信號(hào)：Chip Enable (CE), Write Enable (WE)與Output Enable（OE）。對(duì)于同步SRAM,還需要時(shí)鐘信號(hào)（Clock，CLK）