BTSR DY5 接頭

BTSR DY5 接頭

 
濟南友田機械設備有限公司，主營各種進口工業(yè)機械設備及其配件，儀器儀表，實驗室器材，化學試劑。公司專注于進口歐美工業(yè)產品，各種工業(yè)配件，儀器小到工業(yè)用的螺絲，大到幾百公斤重的電機。公司現(xiàn)在美國，德國，意大利分別設有辦事處和庫房，采用就近采購原則，節(jié)省了采購成本，從而讓利于客戶，保證了產品的質量和貨期。

Egis V8050x150-T15-E2-Q6-US

Egis HW30x297-AL-G2

SCHIEDRUM HYDRAULIK GmbH TYP:30D-1-4H NO:264263 Schiedrum Hydraulik 44-030-10084 30D-1-4H

eurotherm TC2000 02/250A/440V/220V/LGC/000/ Eurotherm (Schneider Electric Group) EPOWER/2PH-250A/600V/230V/XXX/XXX/XXX/ X X

VAHLE KDS2/40 PH  Vahle -KDS 2/40 PH

VAHLE KDS2/40 PE Vahle -KDS 2/40 PE 

EBG/SIEMENS 2RJ 637298

SSB    0-87431-33-875-2

ATR VM180 ATR -21272239 VM180

miniBOOSTER HC3-1.5-B Minibooster 300146571 HC3-1,5-B (NG6)

ROQUET 1L01,5DH09S "齒輪泵Pedro Roquet 11-1100-4340 1LO1,5DH09S, 1,0ccm/U., rechtsdrehend, zyl.Welle

?12,7, SAE-AA-2-Loch-Front-Flansch Zentr.? 50,8,

Anschlüsse: 3/4""-16UNF-9/16-18UNF,"

HAGGLUNDS 4783233-641 

HAGGLUNDS 4783233-620

RICKMEIER R65/630 FL-Z

BIERI      MRK11-0.76-0.76-0.76-0.76-Aa00 BIERI MRK702-4x0,80-700-V-C*00 

SUN CBGA LHN 1A52

ATR VM180 24V? 隔離放大器?ATR 21272239 VM180

ATR VM180 19-255V 隔離放大器?ATR 21272239 VM180 (old: VM180 19-255V)

PILZ 774730 PNOZ X4 24VDC Pilz 774730-01 PNOZ X4 24VDC 3S 1?

PILZ 304050? P10-PS 電源模塊?Pilz 304050 

GLACIER SIC? MB 2023 DU? Coussinet autolubrifiant?cylindrique, en D.U, 20X23X30

GLACIER SIC MB 1820 DU Coussinet autolubrifiant?cylindrique, en D.U, 18X20X20 Code Article :?? 0154667

KUHNKE H62-F-HS6034/3?

AMPHENOL AS-GTC-R-R16

AMPHENOL EMP-P012-001

crompton E243-01A-G-DR-DR-NC 電流表

ASM WS10-1250-SB0-M12 

herion 9710505.4200.02400G1/4DC24VIP65 Herion 9710505420002400

herion 9710505.0763.02400.0570275G1/4 Herion 9710505076302400

herion 2636265.4210.02400G1/4DC24VIP65

herion 2636265.4210.02400G1/4DC24VIP65

herion 9711505.0763.02400.0570275G1/4DC24V

herion 9710555.4600.02400G1/4DC24V

herion 9712505.0763.02400.0570275G1/4

Herion 9710505420002400.00

Herion 9710505076302400.00

Herion 2636265421002400.00

Herion 9710505420002400.00

Herion 9710505076302400.00

Herion 2636265421002400.00

Herion 9711505076302400.00

Herion 9710555460002400.00

MICRO-EPSILON ILD1320-1420-MB25

AEG 2000000380 通訊模塊 

介質在外加電場時會產生感應電荷而削弱電場，原外加電場（真空中）與終介質中電場比值即為介電常數( permittivity）又稱誘電率，與頻率相關。介電常數是相對介電常數與真空中介電常數乘積。如果有高介電常數的材料放在電場中，電場的強度會在電介質內有可觀的下降。理想導體的相對介電常數為無窮大。

根據物質的介電常數可以判別高分子材料的極性大小。通常，相對介電常數大于3.6的物質為極性物質；相對介電常數在2.8~3.6范圍內的物質為弱極性物質；相對介電常數小于2.8為非極性物質。

測量方法

編輯

相對介電常數εr可以用靜電場用如下方式測量：首先在兩塊極板之間為真空的時候測試電容器的電容C0。然后，用同樣的電容極板間距離但在極板間加入電介質后測得電容Cx。然后相對介電常數可以用下式計算

εr=Cx/C0

在標準大氣壓下，不含二氧化碳的干燥空氣的相對電容率εr=1.00053。因此，用這種電極構形在空氣中的電容Ca來代替C0來測量相對電容率εr時，也有足夠的準確度。（參考GB/T 1409-2006）

對于時變電磁場，物質的介電常數和頻率相關，通常稱為介電系數。 [1] 

常見溶劑

編輯

附常見溶劑的相對介電常數，條件為室溫下，測試頻率為1KHz。

溫度對介電常數的影響

H2O （水） 78.5

HCOOH （甲酸） 58.5

HCON（CH3）2 （N,N-二甲基甲酰胺）36.7

CH3OH （甲醇） 32.7

C2H5OH （乙醇） 24.5

CH3COCH3 （丙酮） 20.7

n-C6H13OH （正己醇）13.3

CH3COOH （乙酸或醋酸） 6.15

C6H6 （苯） 2.28

CCl4 （*） 2.24

n-C6H14 （正己烷）1.88

n-C4H10（四號溶劑） 1.78 [1] 

電介質

編輯

相關解釋

編輯

"介電常數" 在工具書中的解釋：

1.又稱電容率或相對電容率，表征電介質或絕緣材料電性能的一個重要數據，常用ε表示。它是指在同一電容器中用同一物質為電介質和真空時的電容的比值，表示電介質在電場中貯存靜電能的相對能力?？諝夂虲S2的ε值分別為1.0006和2.6左右，而水的ε值較大，10℃時為 83.83。

2.介電常數是物質相對于真空來說增加電容器電容能力的度量。介電常數隨分子偶極矩和可極化性的增大而增大。在化學中，介電常數是溶劑的一個重要性質，它表征溶劑對溶質分子溶劑化以及隔開離子的能力。介電常數大的溶劑，有較大隔開離子的能力，同時也具有較強的溶劑化能力。介電常數用ε表示，一些常用溶劑的介電常數見下表：

"介電常數" 在學術文獻中的解釋：

1.介電常數是指物質保持電荷的能力，損耗因數是指由于物質的分散程度使能量損失的大小。理想的物質的兩項參數值較小。

介電常數與頻率變化的關系

其介質常數具有復數形式，實數部分稱為介電常數，虛數部分稱為損耗因子。通常用損耗角的正切值tanθ（損耗因子與介電常數之比）來表示材料與微波的耦合能力，損耗正切值越大，材料與微波的耦合能力就越強。

3.介電常數是指在同一電容器中用某一物質為電介質與該電容器在真空中的電容的比值。在高頻線路中信號傳播速度的公式如下：V=K。

4.為簡單起見，后面將相對介電常數均稱為介電常數。反射脈沖信號的強度，與界面的波反射系數和透射波的衰減系數有關，主要取決于周圍介質與反射體的電導率和介電常數。[2] 

應用

編輯

近十年來，半導體工業(yè)界對低介電常數材料的研究日益增多，材料的種類也五花八門。然而這些低介電常數材料能夠在集成電路生產工藝中應用的速度卻遠沒有人們想象的那么快。其主要

低介電常數薄膜機械性質量測結果

原因是許多低介電常數材料并不能滿足集成電路工藝應用的要求。圖2是不同時期半導體工業(yè)界預計低介電常數材料在集成電路工藝中應用的前景預測。

早在1997年，人們就認為在2003年，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數（k值）將達到1.5。然而隨著時間的推移，這種樂觀的估計被不斷更新。到2003年，半導體技術規(guī)劃（ITRS 2003[7]）給出低介電常數材料在集成電路未來幾年的應用，其介電常數范圍已經變成2.7~3.1。

造成人們的預計與現(xiàn)實如此大差異的原因是，在集成電路工藝中，低介電常數材料必須滿足諸多條件，例如：足夠的機械強度（MECHANICAL strength）以支撐多層連線的架構、高楊氏系數（Young's modulus）、高擊穿電壓（breakdown voltage>4MV/cm）、低漏電（leakage current<10-9 at 1MV/cm）、高熱穩(wěn)定性（thermal stability >450oC）、良好的粘合強度（adhesion strength）、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜應力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低熱漲系數（coefficient of thermal expansion）以及與化學機械拋光工藝的兼容性（compatibility with CMP process）等等。能夠滿足上述特性的低介電常數材料并不容易獲得。例如，薄膜的介電常數與熱傳導系數往往就呈反比關系。因此，低介電常數材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。

在超大規(guī)模集成電路制造商中，TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等許多公司為了開發(fā)90nm及其以下技術的研究，先后選用了應用材料公司（Applied Materials）的Black Diamond 作為低介電常數材料。該材料采用PE-CVD技術[8] ，與現(xiàn)有集成電路生產工藝*融合，并且引入BLOk薄膜作為低介電常數材料與金屬間的隔離層，很好的解決了上述提及的諸多問題，是已經用于集成電路商業(yè)化生產為數不多的低介電常數材料之一。