MOSFET的臨界電壓（threshold voltage）主要由柵極與通道材料的功函數(shù)（work function）之間的差異來(lái)決定，而因?yàn)槎嗑Ч璞举|(zhì)上是半導(dǎo)體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質(zhì)來(lái)改變其功函數(shù)。更重要的是，因?yàn)槎嗑Ч韬偷紫伦鳛橥ǖ赖墓柚g能隙（bandgap）相同，因此在降低PMOS或是NMOS的臨界電壓時(shí)可以藉由直接調(diào)整多晶硅的功函數(shù)來(lái)達(dá)成需求。反過(guò)來(lái)說(shuō)，金屬材料的功函數(shù)并不像半導(dǎo)體那么易于改變，如此一來(lái)要降低MOSFET的臨界電壓就變得比較困難。而且如果想要同時(shí)降低PMOS和NMOS的臨界電壓，將需要兩種不同的金屬分別做其柵極材料，對(duì)于制程又是一個(gè)很大的變量。

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<>公司名稱(chēng)：廈門(mén)航拓電氣有限公司
<>Xia Men Hangtuo Electric Co., Ltd.
<>公司簡(jiǎn)稱(chēng)：航拓電氣
<>銷(xiāo)售地區(qū)：全國(guó)
<>公司經(jīng)營(yíng)品牌：Allen-Bradley
<>abb、Siemens、Fanuc _-_-- plc可編程控制器
<>Schneider、Westinghouse、Ge _-__- dcs集散式控制系統(tǒng)

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