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日本AMAYA天谷制作所株式會(huì)社半導(dǎo)體單晶圓器A200V

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱埃登威自動(dòng)化系統(tǒng)設(shè)備（上海）有限公司
品牌
型號(hào)
所在地上海市
廠商性質(zhì)
更新時(shí)間2025/3/13 11:02:14
訪問次數(shù)4

產(chǎn)品標(biāo)簽:

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日本AMAYA天谷制作所株式會(huì)社半導(dǎo)體單晶圓器A200V采用面朝下法的高性能單晶圓常壓CVD裝置A200V薄膜厚度均勻度在±2%以內(nèi)抑制粒子生成緊湊的設(shè)備配置良好的階躍覆蓋率低溫工藝支持提高可維護(hù)性提高**性特征在這種方法中，晶圓沉積表面被上卡盤夾住，晶圓朝向底部，工藝氣體從底部的分散頭吹出形成薄膜。卡盤提高了晶圓內(nèi)溫度均勻性，并提供出色的厚度均勻性，同時(shí)防止氣體包圍晶圓背面，防止背面沉積并防止

日本AMAYA天谷制作所株式會(huì)社半導(dǎo)體單晶圓器A200V 產(chǎn)品信息

日本AMAYA天谷制作所株式會(huì)社

半導(dǎo)體單晶圓器A200V

采用面朝下法的高性能單晶圓常壓CVD裝置

A200V

薄膜厚度均勻度在±2%以內(nèi)
抑制粒子生成
緊湊的設(shè)備配置
良好的階躍覆蓋率

低溫工藝支持
提高可維護(hù)性
提高**性

特征

在這種方法中，晶圓沉積表面被上卡盤夾住，晶圓朝向底部，工藝氣體從底部的分散頭吹出形成薄膜。卡盤提高了晶圓內(nèi)溫度均勻性，并提供出色的厚度均勻性，同時(shí)防止氣體包圍晶圓背面，防止背面沉積并防止顆粒粘附在晶圓上并進(jìn)入腔室。
設(shè)備尺寸已盡可能緊湊，以*大程度地減少占用空間。
使用封閉腔室可消除氣體泄漏并提高操作員的**性。

性能

均勻的薄膜厚度	≦±2%
支持的晶圓尺寸	≦8英寸
氣體種類	SiH4， O 2， PH 3， B 2 H6， N 2（TEOS， TEB， TMOP，O3可選）
薄膜沉積溫度	300°C~450°C
生產(chǎn)力	20張/小時(shí)（500nm成膜）

主要規(guī)格

設(shè)備尺寸	890毫米（寬） x 2300毫米（深） x 2250毫米（高）
加熱機(jī)構(gòu)	電阻加熱
裝載卸載	雙滑塊，機(jī)器人CtoC運(yùn)輸
分散頭（氣體噴嘴）	圈