主要特點(diǎn):
日立高新超高分辨率冷場發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000II是專門為電子束敏感樣品和需300萬倍穩(wěn)定觀察的半導(dǎo)體器件,高分辨成像所設(shè)計。
?新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計提高了低加速電壓性能。
0.4nm / 30kV(SE)
0.7nm / 1kV(SE)
0.34nm / 30kV(STEM)
?用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來實(shí)現(xiàn)高效率截面觀察。
?采用全新設(shè)計的Super E x B能量過濾技術(shù),高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
?STEM的明場像能夠調(diào)整信號檢測角度,明場像、暗場像和二次電子圖像可以同時顯示并拍攝照片。
?與FIB兼容的側(cè)插樣品桿提高更換樣品效率和高倍率圖像觀察效率。
應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 半導(dǎo)體器件
2. 高分子材料
3. 納米材料
4. 生命科學(xué)