專門為電子束敏感樣品和需300萬倍穩(wěn)定觀察的半導體器件，高分辨成像所設計。
特點
- 新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM) - 用改良的高真空性能和電子束穩(wěn)定性來實現高效率截面觀察。
- 采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
| 項目 | 技術指標 | |||
| 二次電子分辨率 | 0.4nm （加速電壓30kV，放大倍率80萬倍） | |||
| 1.2nm （加速電壓1kV，放大倍率25萬倍） | ||||
| STEM分辨率 | 0.34nm（加速電壓30kV，晶格象） | |||
| 觀測倍率 | 底片輸出 | 顯示器輸出 | ||
| LM模式 | 80~10,000x | 220~25,000x | ||
| HM模式 | 800~3,000,000x | 2,200~8,000,000x | ||
| 樣品臺 | 側插式樣品桿 | |||
| 樣品移動行程 | X | ±4.0mm | ||
| Y | ±2.0mm | |||
| Z | ±0.3mm | |||
| T | ±40度 | |||
| 標準樣品臺 | 平面樣品臺：5.0mm×9.5mm×3.5mmH | |||
| 截面樣品臺：2.0mm×6.0mm×5.0mmH | ||||
| 專用樣品臺 | 截面樣品臺：2.0mm×12.0mm×6.0mmH | |||
| 雙傾截面樣品臺：0.8mm×8.5mm×3.5mmH | ||||
| 信號檢測器 | 二次電子探測器 | |||
| TOP 探測器（選配） | ||||
| BF/DF 雙STEM探測器（選配） | ||||
應用領域：
1. 半導體器件
2. 高分子材料
3. 納米材料
4. 生命科學
