導電材料四探針電阻率測試儀導電材料四探針電阻率測試儀
國際標準分類中，四探針法涉及到半導體材料、金屬材料試驗、絕緣流體、獸醫(yī)學、復合增強材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學、土質(zhì)、土壤學、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。
在中國標準分類中，四探針法涉及到半金屬與半導體材料綜合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導體材料、金屬無損檢驗方法。
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法
GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法
GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導率測試儀自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成圖表和報表。
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導率值、溫度、壓強值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.
提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內(nèi)及國外客戶需求
電阻測量范圍：
電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
電阻：1×10-5～2×105Ω
電導率：5×10-6～1×108ms/cm
分辨率： 醉小1μΩ
測量誤差±5%
測量電壓量程：?2mV? 20mV? 200mV?2V?
測量精度±（0.1%讀數(shù)）
分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?
誤差：±0.2%讀數(shù)±2字
主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm
顯示方式：液晶顯示
電源：220±10% 50HZ/60HZ
標配：測試平臺一套、主機一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。
范圍本標準規(guī)定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。
本標準適用于側(cè)量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量材底同型或反型的硅片外延層的電阻率，測量范圍，10-* n·cm～10' Ω·cm。
規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，
CB/T1550 非本征率導體材料導電類型測試方法 GB/T 1552 硅、儲單晶電阻率測定 直排四探針法
GB/T 1555 半導體單晶晶向測定方法
GB/T 14847 重摻雜襯底上輕摻雜建外延層厚度的紅外反射測顯方法
方法原到擴展電阻法是一種實驗比較法。
該方法是先測量重復形成的點接觸的擴展電阻，再用校準曲線來確定被測試樣在探針接觸點期近的電阻率。擴展電阻R是導電金屬深針與建片上一個參考點之間的電勢降與流過探針的電流之比。
對于電阻率均勻一致的半導體材料來說，探針與半導體材料接觸半徑為a的擴展電阻用式（1）來表示;
