法蘭差壓變送器產(chǎn)品概述
法蘭差壓變送器用于測量液體、氣體或蒸汽的液位、密度和壓力，然后將其轉(zhuǎn)變成4～20mA DC信號輸出。智能型可與HART手操器相互通訊，通過它進行設(shè)定，監(jiān)控或與上位機組成現(xiàn)場監(jiān)控系統(tǒng)。KM1151/3351DP現(xiàn)場可調(diào)式智能差壓變送器是本公司根據(jù)現(xiàn)場要求研制開發(fā)的新產(chǎn)品，可脫離手操器，通過按鍵方式實現(xiàn)現(xiàn)場調(diào)零、組態(tài)等操作。

法蘭差壓變送器分類與基本原理
壓力設(shè)備通常分為三種類型:表壓、壓力以及差壓。但從根本上說，它們都屬于差壓測量。
差壓設(shè)備用于測量相對于環(huán)境大氣壓的過程壓力。傳感器的過程側(cè)處于過程壓力中，而非過程側(cè)處于大氣中。表壓測量即為兩側(cè)的壓力差。若傳感器的非過程側(cè)與大氣相隔離，存留的氣體體積將隨著溫度變化膨脹或縮小，并造成傳感器非過程側(cè)的壓力變化。這將導(dǎo)致表壓信號出現(xiàn)嚴(yán)重誤差。通常所有的表壓傳感器都有一條內(nèi)部通道，將非過程側(cè)與大氣相連。
 
法蘭差壓變送器智特點
1、超級的測量性能，用于壓力、差壓、液位、流量測量
2、數(shù)字精度:±0.25%
3、模擬精度:±0.5%±0.1%F.S
4、全 性 能:±0.25F.S
5、穩(wěn) 定 性:0.25% 60個月
6、量 程 比:100:1
7、測量速率:0.2S
8、小型化(2.4kg)全不銹鋼法蘭，易于安裝
9、過程連接與其它產(chǎn)品兼容，實現(xiàn)測量
10、世界上采用H合金護套的傳感器(技術(shù))，實現(xiàn)了優(yōu)良的冷、熱穩(wěn)定性
11、標(biāo)準(zhǔn)4-20mA，帶有基于HART協(xié)議的數(shù)字信號，遠程操控
12、支持向現(xiàn)場總線與基于現(xiàn)場控制的技術(shù)的升級。
13、內(nèi)通道將流體引至設(shè)備膜片的兩側(cè)。
 
法蘭差壓變送器的功能
輸出:二線制，4~20mA DC輸出，數(shù)字通訊，可編程設(shè)定線性或平方根輸出方式，HART協(xié)議加載在4~20mA DC信號上。
電源電壓:工作狀態(tài):10.5~42V DC；數(shù)字通訊:16.4~42V DC；本安型:16.4~30V DC
負載(輸出信號代碼為D和E時):工作狀態(tài):0~1335Ω    數(shù)字通訊:250~600Ω
HART通訊距離:用多芯雙絞線時可通訊距離達2Km。通訊距離因電纜類型而異。
公式如下:L=/(R×C)-(C1+10000)/C
L=長度(m和ft)
R=阻抗(Ω ，包括電源阻抗)
C=電纜電容(pF/m或pF/ft)
C1=并聯(lián)電容(pF/m或pF/ft)
法蘭差壓變送器的阻尼時間常數(shù):放大器部件和膜盒的阻尼時間常數(shù)之和。常數(shù)在0.2~64秒范圍內(nèi)可調(diào)。
環(huán)境溫度:-40~85℃(-40~185?F)   -30~80℃(-22~176?F)【帶LCD表頭】
接液溫度:-40~120℃(-40~248?F)
調(diào)量程的參考精度(包括從零點開始的線性、滯后性和重復(fù)性):±0.1%
法蘭差壓變送器的穩(wěn)定性:±0.1%量程上限/12個月
 
法蘭差壓變送器的繞制方法與注意事項

普通分層繞法:
一般的單輸出電源，變壓器分為3個繞組，初級繞組Np,次級繞組Ns,輔助電源繞組Nb;當(dāng)實用普通分層繞法時，繞制的順序是:NpNsNb，當(dāng)然也有的是采用NbNsNp的繞法，但不常用。
此種繞法工藝簡單，易于控制磁芯的各種參數(shù)，一致性較好，繞線成本低，適用于大批量的生產(chǎn)，但漏感稍大，故適用于對漏感不敏感的小功率場合，一般功率小于10W的電源中普遍實用這種繞法
三明治繞法
三明治繞法久負盛名，幾乎每個做電源的人都知道這種繞法，但真正對三明治繞法做過深入研究的人，應(yīng)該不多。相信很多人都吃過三明治，就是兩層面包中間夾一層奶油。顧名思義，三明治繞法就是兩層夾一層的繞法。由于被夾在中間的繞組不同，三明治又分為兩種繞法:初級夾次級，次級夾初級。先來看種，初級夾次級的繞法(也叫初級平均繞法)
順序為Np/2,Ns,Np/2,Nb，此種繞法有量大優(yōu)點，由于增加了初次級的有效耦合面積，可以極大的減少變壓器的漏感，而減少漏感帶來的好處是顯而易見的:漏感引起的電壓尖峰會降低，這就使MOSFET的電壓應(yīng)力降低，同時，由MOSFET與散熱片引起的共模干擾電流也可以降低，從而改善EMI;由于在初級中間加入了一個次級繞組，所以減少了變壓器初級的層間分布電容，而層間電容的減少，就會使電路中的寄生振蕩減少，同樣可以降低MOSFET與次級整流管的電壓電流應(yīng)力，改善EMI。
第二種，次級夾初級的繞法(也叫次級平均繞法)
順序為Ns/2,Np,Ns/2,Nb。當(dāng)輸出是低壓大電流時，一般采用此種繞法，其優(yōu)點有二:
1、可以有效降低銅損引起的溫升:由于輸出是低壓大電流，故銅損對導(dǎo)線的長度較為敏感，繞在內(nèi)側(cè)的Ns/2可以有效較少繞線長度，從而降低此Ns/2繞組的銅損及發(fā)熱。外層的Ns/2雖說繞線相對較長，但是基本上是在變壓器的外層，散熱良好故溫度也不會太高。
2、可以減少初級耦合至變壓器磁芯高頻干擾。由于初級遠離磁芯，次級電壓低，故引起的高頻干擾小。
我們大家來進一步深入討論下這個三明治繞發(fā)對EMI的影響。首先，我們來看初級夾次級的繞法，我們知道，變壓器的初級由于電壓較高，所以繞組較多，一般要超過2層，有時甚至達到4-5層，這就給變壓器帶來一個分布參數(shù)-層間電容，形成原理相信大家都清楚，我就不多解釋了。當(dāng)MOSFET關(guān)斷的時候，變壓器的漏感與MOSFET的結(jié)電容以及變壓器的層間電容會產(chǎn)生振動，幅度達到幾十甚至超過一百V，這對MOSFET與EMI來說都是不允許的，所以，我們增加RCD吸收來抑制這個振蕩，達到保護MOSFET與改善EMI的目的。
三明治繞法是可以在一定程度上改善EMI。從另外一個角度來說，三明治繞法確實是增加了初次級的耦合面積，減少了漏感，同時又使初次級的耦合電容增加了;當(dāng)開關(guān)管反復(fù)開關(guān)時，電容也會反復(fù)充放電，也就是說會引起振蕩，此振蕩正比于開關(guān)頻率，會對EMI產(chǎn)生不利的影響。
 
法蘭差壓變送器選型

沒有了！