探測器-IAV352雪崩光電二極管

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產(chǎn)品標(biāo)簽:

太陽光模擬器光譜儀激光器光學(xué)平臺(tái)紅外顯示卡

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太陽光模擬器光譜儀激光器光學(xué)平臺(tái) 紅外顯示卡積分球拉曼光譜儀

低噪聲近紅外雪崩光電探測器

IAV352雪崩光電二極管
? 陶瓷小裝配
? 350微米直徑
? 其它詳見如下說明

產(chǎn)品說明
客戶：任何人
NO. IAV352

類型：雪崩光電二極管
CUST. DWG.
PKG.
*陶瓷的
MAT InGaAs
器件標(biāo)志
（a）

探測器-IAV352雪崩光電二極管產(chǎn)品信息

低噪聲近紅外雪崩光電探測器

IAV352雪崩光電二極管
• 陶瓷小裝配
• 350微米直徑
• 其它詳見如下說明

產(chǎn)品說明
客戶：任何人				NO. IAV352
				類型：雪崩光電二極管
CUST. DWG.		PKG.		*陶瓷的		MAT InGaAs
器件標(biāo)志
(a) G
(b) IAV350
(C) DC
A類和/或性能特征
NO.	參數(shù)條件@23ºC±2°C		小	典型	大		單位
1	波長范圍		1000		1630		nm
2	響應(yīng)率@M=1 1550nm波長		0.85	0.9	0.95		A/W
3	暗電流@M=10			30	250		nA
4	工作電壓V_r@M=10		37	52	68		V
5	擊穿電壓V_br(I_d=10µA)		45	60	75		V
6	激活區(qū)直徑		350	352	355		µm
7	電容@M=10			3.2	4.0		pF
8	帶寬@M=5			0.6			GHz
9	帶寬@M=10			0.6			GHz
10	帶寬@M=20			0.6			GHz
11	過量噪聲因子F@M=10			3.2	3.7
12	過量噪聲因子F@M=20			5.5	6.0
13	噪聲等效功率NEP@M=10			0.08			pW/Hz^1/2
14	大條件
15	工作溫度范圍		0		70		°C
16	存儲(chǔ)溫度范圍		-40		85		°C
17	大反向電流				1		mA
18	大正向電流		0		10		mA
19	光學(xué)輸入(平均)				0		dBm
特殊要求
陶瓷小裝配略圖#13344, 350微米直徑激活區(qū)。對(duì)于每一個(gè)單位，下列數(shù)據(jù)是要求的：擊穿電壓@10µA。工作電壓和暗電流增益=10,15和20,響應(yīng)率(X.XX A/W)@M=1；1550nm. 試驗(yàn)條件@23°C±2°C