BTSR DY5 接頭

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濟(jì)南友田機(jī)械設(shè)備有限公司，主營(yíng)各種進(jìn)口工業(yè)機(jī)械設(shè)備及其配件，儀器儀表，實(shí)驗(yàn)室器材，化學(xué)試劑。公司專(zhuān)注于進(jìn)口歐美工業(yè)產(chǎn)品，各種工業(yè)配件，儀器小到工業(yè)用的螺絲，大到幾百公斤重的電機(jī)。公司現(xiàn)在美國(guó)，德國(guó)，意大利分別設(shè)有辦事處和庫(kù)房，采用就近采購(gòu)原則，節(jié)省了采購(gòu)成本，從而讓利于客戶(hù)，保證了產(chǎn)品的質(zhì)量和貨期。

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herion 2636265.4210.02400G1/4DC24VIP65

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herion 9711505.0763.02400.0570275G1/4DC24V

herion 9710555.4600.02400G1/4DC24V

herion 9712505.0763.02400.0570275G1/4

Herion 9710505420002400.00

Herion 9710505076302400.00

Herion 2636265421002400.00

Herion 9710505420002400.00

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介質(zhì)在外加電場(chǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場(chǎng)，原外加電場(chǎng)（真空中）與終介質(zhì)中電場(chǎng)比值即為介電常數(shù)( permittivity）又稱(chēng)誘電率，與頻率相關(guān)。介電常數(shù)是相對(duì)介電常數(shù)與真空中介電常數(shù)乘積。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場(chǎng)中，電場(chǎng)的強(qiáng)度會(huì)在電介質(zhì)內(nèi)有可觀(guān)的下降。理想導(dǎo)體的相對(duì)介電常數(shù)為無(wú)窮大。

根據(jù)物質(zhì)的介電常數(shù)可以判別高分子材料的極性大小。通常，相對(duì)介電常數(shù)大于3.6的物質(zhì)為極性物質(zhì)；相對(duì)介電常數(shù)在2.8~3.6范圍內(nèi)的物質(zhì)為弱極性物質(zhì)；相對(duì)介電常數(shù)小于2.8為非極性物質(zhì)。

測(cè)量方法

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相對(duì)介電常數(shù)εr可以用靜電場(chǎng)用如下方式測(cè)量：首先在兩塊極板之間為真空的時(shí)候測(cè)試電容器的電容C0。然后，用同樣的電容極板間距離但在極板間加入電介質(zhì)后測(cè)得電容Cx。然后相對(duì)介電常數(shù)可以用下式計(jì)算

εr=Cx/C0

在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，不含二氧化碳的干燥空氣的相對(duì)電容率εr=1.00053。因此，用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容Ca來(lái)代替C0來(lái)測(cè)量相對(duì)電容率εr時(shí)，也有足夠的準(zhǔn)確度。（參考GB/T 1409-2006）

對(duì)于時(shí)變電磁場(chǎng)，物質(zhì)的介電常數(shù)和頻率相關(guān)，通常稱(chēng)為介電系數(shù)。 [1] 

常見(jiàn)溶劑

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附常見(jiàn)溶劑的相對(duì)介電常數(shù)，條件為室溫下，測(cè)試頻率為1KHz。

溫度對(duì)介電常數(shù)的影響

H2O （水） 78.5

HCOOH （甲酸） 58.5

HCON（CH3）2 （N,N-二甲基甲酰胺）36.7

CH3OH （甲醇） 32.7

C2H5OH （乙醇） 24.5

CH3COCH3 （丙酮） 20.7

n-C6H13OH （正己醇）13.3

CH3COOH （乙酸或醋酸） 6.15

C6H6 （苯） 2.28

CCl4 （*） 2.24

n-C6H14 （正己烷）1.88

n-C4H10（四號(hào)溶劑） 1.78 [1] 

電介質(zhì)

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相關(guān)解釋

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"介電常數(shù)" 在工具書(shū)中的解釋?zhuān)?/p>

1.又稱(chēng)電容率或相對(duì)電容率，表征電介質(zhì)或絕緣材料電性能的一個(gè)重要數(shù)據(jù)，常用ε表示。它是指在同一電容器中用同一物質(zhì)為電介質(zhì)和真空時(shí)的電容的比值，表示電介質(zhì)在電場(chǎng)中貯存靜電能的相對(duì)能力?？諝夂虲S2的ε值分別為1.0006和2.6左右，而水的ε值較大，10℃時(shí)為 83.83。

2.介電常數(shù)是物質(zhì)相對(duì)于真空來(lái)說(shuō)增加電容器電容能力的度量。介電常數(shù)隨分子偶極矩和可極化性的增大而增大。在化學(xué)中，介電常數(shù)是溶劑的一個(gè)重要性質(zhì)，它表征溶劑對(duì)溶質(zhì)分子溶劑化以及隔開(kāi)離子的能力。介電常數(shù)大的溶劑，有較大隔開(kāi)離子的能力，同時(shí)也具有較強(qiáng)的溶劑化能力。介電常數(shù)用ε表示，一些常用溶劑的介電常數(shù)見(jiàn)下表：

"介電常數(shù)" 在學(xué)術(shù)文獻(xiàn)中的解釋?zhuān)?/p>

1.介電常數(shù)是指物質(zhì)保持電荷的能力，損耗因數(shù)是指由于物質(zhì)的分散程度使能量損失的大小。理想的物質(zhì)的兩項(xiàng)參數(shù)值較小。

介電常數(shù)與頻率變化的關(guān)系

其介質(zhì)常數(shù)具有復(fù)數(shù)形式，實(shí)數(shù)部分稱(chēng)為介電常數(shù)，虛數(shù)部分稱(chēng)為損耗因子。通常用損耗角的正切值tanθ（損耗因子與介電常數(shù)之比）來(lái)表示材料與微波的耦合能力，損耗正切值越大，材料與微波的耦合能力就越強(qiáng)。

3.介電常數(shù)是指在同一電容器中用某一物質(zhì)為電介質(zhì)與該電容器在真空中的電容的比值。在高頻線(xiàn)路中信號(hào)傳播速度的公式如下：V=K。

4.為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，后面將相對(duì)介電常數(shù)均稱(chēng)為介電常數(shù)。反射脈沖信號(hào)的強(qiáng)度，與界面的波反射系數(shù)和透射波的衰減系數(shù)有關(guān)，主要取決于周?chē)橘|(zhì)與反射體的電導(dǎo)率和介電常數(shù)。[2] 

應(yīng)用

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近十年來(lái)，半導(dǎo)體工業(yè)界對(duì)低介電常數(shù)材料的研究日益增多，材料的種類(lèi)也五花八門(mén)。然而這些低介電常數(shù)材料能夠在集成電路生產(chǎn)工藝中應(yīng)用的速度卻遠(yuǎn)沒(méi)有人們想象的那么快。其主要

低介電常數(shù)薄膜機(jī)械性質(zhì)量測(cè)結(jié)果

原因是許多低介電常數(shù)材料并不能滿(mǎn)足集成電路工藝應(yīng)用的要求。圖2是不同時(shí)期半導(dǎo)體工業(yè)界預(yù)計(jì)低介電常數(shù)材料在集成電路工藝中應(yīng)用的前景預(yù)測(cè)。

早在1997年，人們就認(rèn)為在2003年，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數(shù)（k值）將達(dá)到1.5。然而隨著時(shí)間的推移，這種樂(lè)觀(guān)的估計(jì)被不斷更新。到2003年，半導(dǎo)體技術(shù)規(guī)劃（ITRS 2003[7]）給出低介電常數(shù)材料在集成電路未來(lái)幾年的應(yīng)用，其介電常數(shù)范圍已經(jīng)變成2.7~3.1。

造成人們的預(yù)計(jì)與現(xiàn)實(shí)如此大差異的原因是，在集成電路工藝中，低介電常數(shù)材料必須滿(mǎn)足諸多條件，例如：足夠的機(jī)械強(qiáng)度（MECHANICAL strength）以支撐多層連線(xiàn)的架構(gòu)、高楊氏系數(shù)（Young's modulus）、高擊穿電壓（breakdown voltage>4MV/cm）、低漏電（leakage current<10-9 at 1MV/cm）、高熱穩(wěn)定性（thermal stability >450oC）、良好的粘合強(qiáng)度（adhesion strength）、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜應(yīng)力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低熱漲系數(shù)（coefficient of thermal expansion）以及與化學(xué)機(jī)械拋光工藝的兼容性（compatibility with CMP process）等等。能夠滿(mǎn)足上述特性的低介電常數(shù)材料并不容易獲得。例如，薄膜的介電常數(shù)與熱傳導(dǎo)系數(shù)往往就呈反比關(guān)系。因此，低介電常數(shù)材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。

在超大規(guī)模集成電路制造商中，TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等許多公司為了開(kāi)發(fā)90nm及其以下技術(shù)的研究，先后選用了應(yīng)用材料公司（Applied Materials）的Black Diamond 作為低介電常數(shù)材料。該材料采用PE-CVD技術(shù)[8] ，與現(xiàn)有集成電路生產(chǎn)工藝*融合，并且引入BLOk薄膜作為低介電常數(shù)材料與金屬間的隔離層，很好的解決了上述提及的諸多問(wèn)題，是已經(jīng)用于集成電路商業(yè)化生產(chǎn)為數(shù)不多的低介電常數(shù)材料之一。