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壓電類傳感器的基本特點(diǎn)是，與VOC的接觸響應(yīng)形式體現(xiàn)為頻率的變化。它又分為石英晶體微量天平（QCM）傳感器和聲表面波（SAW）傳感器兩種。壓電類傳感器既可以測(cè)量溫度和質(zhì)量的變化，又可測(cè)量壓力、力和加速度等參數(shù)，但在電子鼻系統(tǒng)中，它們一般只作為質(zhì)變量傳感探測(cè)器使用。QCM傳感器是一個(gè)幾毫米直徑的諧振盤，盤面敷有聚合物材料，每面有一個(gè)與導(dǎo)線相連的金屬電極，結(jié)構(gòu)如圖2所示。當(dāng)該傳感器受振蕩信號(hào)激勵(lì)時(shí)，便諧振于特征頻率（10Hz～30MHz），而一旦氣體分子被吸收到聚合物涂層表面，就增加了該盤的質(zhì)量，因此降低了諧振頻率，諧振頻率的高低與所吸收的氣體分子質(zhì)量成反比。QCM傳感器對(duì)不同氣體的響應(yīng)、選擇性可通過(guò)調(diào)整諧振盤聚合物涂層來(lái)改變，而減小石英晶體的尺寸和質(zhì)量，并減小聚合物涂層的厚度，則可進(jìn)一步縮短傳感器的響應(yīng)時(shí)間和恢復(fù)時(shí)間。LPS-0.6kg
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聲表面波（SAW）傳感器與QCM傳感器的主要區(qū)別為：（1）瑞利波是經(jīng)SAW的表面運(yùn)行，不是像QCM一樣通過(guò)其體內(nèi)；（2）SAW傳感器工作頻率更高，因此可產(chǎn)生更大的頻率變化。QCM的典型工作頻率僅是10MHz，而SAW器件則在幾百M(fèi)Hz；（4）由于SAW是平面器件，所以可用微電子工業(yè)普遍采用的光刻技術(shù)來(lái)制造，而不像QCM那樣需要微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）進(jìn)行三維處理，因此批量生產(chǎn)的成本更低。但是，SAW傳感器的信噪比遜于QCM傳感器，因此在許多情況下，前者的靈敏度要低于后者。
電子鼻傳感器的第三大類是金屬氧化硅場(chǎng)效應(yīng)管傳感器（MOSFET）。其工作原理是：VOC與催化金屬材料相接觸所生成的反應(yīng)產(chǎn)物（如氫）會(huì)擴(kuò)散通過(guò)MOSFET的控制極來(lái)改變器件的導(dǎo)電物性。如圖3所示，典型的MOSFET結(jié)構(gòu)有一個(gè)P型襯底和在襯底上擴(kuò)散的兩個(gè)摻雜濃度很高的N型區(qū)，兩個(gè)N區(qū)的金屬觸點(diǎn)分別稱為源極和漏極29048704。器件的靈敏度和選擇性可通過(guò)改變金屬接觸劑的類型和厚度以及改變工作溫度來(lái)改變。MOSFET的優(yōu)點(diǎn)之一是可依托IC制造工藝，批量生產(chǎn)、質(zhì)量穩(wěn)定，主要問(wèn)題是接觸反應(yīng)產(chǎn)物（如氫）必須滲入催化金屬涂層來(lái)影響溝道中的電荷，這就對(duì)芯片的密閉封裝方式提出了更苛刻的要求。MOSFET與導(dǎo)電性傳感器一樣，也存在基準(zhǔn)值漂移問(wèn)題。
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